首页 > 商品目录 > > > > DMN10H220LE-13代替型号比较

DMN10H220LE-13  与  IRFL4310TRPBF  区别

型号 DMN10H220LE-13 IRFL4310TRPBF
唯样编号 A36-DMN10H220LE-13 A36-IRFL4310TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 220mΩ@1.6A,10V 200mΩ@1.6A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 1.8W(Ta) 1W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-223 SOT-223
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.3A 2.2A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 401pF @ 25V 330pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V 25nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 330pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 10V
库存与单价
库存 3,870 5,857
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
50+ :  ¥1.034
100+ :  ¥0.6897
1,250+ :  ¥0.627
2,500+ :  ¥0.5808
30+ :  ¥2.123
100+ :  ¥1.639
1,250+ :  ¥1.419
2,500+ :  ¥1.342
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN10H220LE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-223

¥1.034 

阶梯数 价格
50: ¥1.034
100: ¥0.6897
1,250: ¥0.627
2,500: ¥0.5808
3,870 当前型号
IRLML0100TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.7326 

阶梯数 价格
70: ¥0.7326
200: ¥0.5967
1,500: ¥0.5421
3,000: ¥0.507
22,406 对比
IRFL4310TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-223

¥2.123 

阶梯数 价格
30: ¥2.123
100: ¥1.639
1,250: ¥1.419
2,500: ¥1.342
5,857 对比
BSP373NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSP373N H6327_TO-261-4,TO-261AA

¥1.6545 

阶梯数 价格
1: ¥1.6545
25: ¥1.4263
100: ¥1.2295
396 对比
BSP373NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSP373N H6327_TO-261-4,TO-261AA

¥3.388 

阶梯数 价格
20: ¥3.388
50: ¥2.607
176 对比
IRFL4310TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-223

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售