DMN10H220L-7 与 IRLML0100TRPBF 区别
| 型号 | DMN10H220L-7 | IRLML0100TRPBF | ||||
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| 唯样编号 | A36-DMN10H220L-7 | A-IRLML0100TRPBF | ||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | Single HexFet 100 V 1.3 W 2.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - MICRO-3 | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 220mΩ@1.6A,10V | 220mΩ@1.6A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.3W(Ta) | 1.3W | ||||
| 栅极电压Vgs | ±16V | ±16V | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||
| 连续漏极电流Id | 1.6A | 1.6A | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 401pF @ 25V | - | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.3nC @ 10V | - | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 286 | 3,000 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 | ||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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DMN10H220L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 1.3W(Ta) 220mΩ@1.6A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 100V 1.6A |
￥0.7227
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286 | 当前型号 | ||||||
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IRLML0100TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23 N-Channel 220mΩ@1.6A,10V 1.3W -55°C~150°C ±16V 100V 1.6A |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
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