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DMN10H170SVT-7  与  DMN10H170SVT-13  区别

型号 DMN10H170SVT-7 DMN10H170SVT-13
唯样编号 A36-DMN10H170SVT-7-0 A-DMN10H170SVT-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 160mΩ@5A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 1.2W(Ta) 1.2W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 160mΩ@5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1167 pF @ 25 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 9.7 nC @ 10 V
封装/外壳 TSOT-26 TSOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 2.6A 2.6A(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1167pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.7nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 3,662 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
60+ :  ¥0.8782
200+ :  ¥0.6059
1,500+ :  ¥0.5505
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN10H170SVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.2W(Ta) 160mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 N-Channel 100V 2.6A

¥0.8782 

阶梯数 价格
60: ¥0.8782
200: ¥0.6059
1,500: ¥0.5505
3,662 当前型号
DMN10H170SVT-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 1.2W(Ta) ±20V TSOT-23 -55℃~150℃(TJ) 100V 2.6A(Ta)

暂无价格 0 对比
DMN10H170SVTQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.2W(Ta) ±20V TSOT-23 -55℃~150℃(TJ) 100V 2.6A(Ta) 车规

暂无价格 0 对比
DMN10H170SVTQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.2W(Ta) ±20V TSOT-23 -55℃~150℃(TJ) 100V 2.6A(Ta) 车规

暂无价格 0 对比
BSL372SN H6327 Infineon 小信号MOSFET

BSL372SNH6327XTSA1_PG-TSOP6-6 车规

暂无价格 0 对比

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