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DMN10H170SK3-13  与  IRLR120NTRPBF  区别

型号 DMN10H170SK3-13 IRLR120NTRPBF
唯样编号 A36-DMN10H170SK3-13 A36-IRLR120NTRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3 Single N-Channel 100V 48 W 20 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 185mΩ@6A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 42W(Tc) 48W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 140mΩ@5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1167 pF @ 25 V -
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 9.7 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 D-Pak
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 12A(Tc) 10A
系列 - HEXFET®
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 440pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 440pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20nC @ 5V
库存与单价
库存 2,339 2,688
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
40+ :  ¥1.595
100+ :  ¥1.221
1,250+ :  ¥1.0384
30+ :  ¥2.079
100+ :  ¥1.606
1,000+ :  ¥1.331
2,000+ :  ¥1.111
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN10H170SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

¥1.595 

阶梯数 价格
40: ¥1.595
100: ¥1.221
1,250: ¥1.0384
2,339 当前型号
IRFR120NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

¥1.98 

阶梯数 价格
30: ¥1.98
100: ¥1.518
1,000: ¥1.265
2,000: ¥1.0571
17,769 对比
IRLR120NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥2.079 

阶梯数 价格
30: ¥2.079
100: ¥1.606
1,000: ¥1.331
2,000: ¥1.111
2,688 对比
IRFR120NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

暂无价格 2,000 对比
AOD2922 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.1633 

阶梯数 价格
1: ¥1.1633
100: ¥0.8382
1,000: ¥0.7215
2,500: ¥0.57
283 对比
AOD2922 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.606 

阶梯数 价格
40: ¥1.606
100: ¥1.232
259 对比

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