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DMN10H170SK3-13  与  STD6NF10T4  区别

型号 DMN10H170SK3-13 STD6NF10T4
唯样编号 A36-DMN10H170SK3-13 A-STD6NF10T4
制造商 Diodes Incorporated STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3 MOSFET N-CH 100V 6A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -
连续漏极电流Id 12A(Tc) -
驱动电压 4.5V,10V -
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 42W(Tc) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 140mΩ@5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1167 pF @ 25 V -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 9.7 nC @ 10 V -
库存与单价
库存 2,337 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.595
100+ :  ¥1.221
1,250+ :  ¥1.0384
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN10H170SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 42W(Tc) ±20V TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 100V 12A(Tc)

¥1.595 

阶梯数 价格
40: ¥1.595
100: ¥1.221
1,250: ¥1.0384
2,337 当前型号
IRFR120NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3 N-Channel 210mΩ@5.6A,10V 48W -55°C~175°C ±20V 100V 9.4A

暂无价格 2,000 对比
AOD2922 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 100V 20V 7A 17W 140mΩ@10V

¥1.1633 

阶梯数 价格
1: ¥1.1633
100: ¥0.8382
1,000: ¥0.7215
2,500: ¥0.57
283 对比
STD6NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IRLR3410 Infineon  数据手册 功率MOSFET

100V DPAK (TO-252) 155mΩ N-Channel 16V 15A

暂无价格 0 对比
IRLR120NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 48W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 185mΩ@6A,10V N-Channel 100V 10A D-Pak

暂无价格 0 对比

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