DMN1019USN-13 与 DMN1019USN-7 区别
| 型号 | DMN1019USN-13 | DMN1019USN-7 | ||||||
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| 唯样编号 | A36-DMN1019USN-13 | A-DMN1019USN-7 | ||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 | MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 封装/外壳 | SC-59-3 | SC-59-3 | ||||||
| 功率耗散Pd | 680mW(Ta) | 680mW(Ta) | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | 9.3A(Ta) | 9.3A(Ta) | ||||||
| 驱动电压 | 1.2V,2.5V | 1.2V,2.5V | ||||||
| 漏源极电压Vds | 12V | 12V | ||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 10mΩ@9.7A,4.5V | 10mΩ@9.7A,4.5V | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 2426 pF @ 10 V | 2426 pF @ 10 V | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±8V | ±8V | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 50.6 nC @ 8 V | 50.6 nC @ 8 V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 907 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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DMN1019USN-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 680mW(Ta) ±8V SC-59-3 -55°C~150°C(TJ) 12V 9.3A(Ta) |
￥1.2
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907 | 当前型号 | ||||||||
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DMN1019USN-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 680mW(Ta) ±8V SC-59-3 -55°C~150°C(TJ) 12V 9.3A(Ta) |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||||||
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DMN1019USN-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 680mW(Ta) ±8V SC-59-3 -55°C~150°C(TJ) 12V 9.3A(Ta) |
暂无价格 | 2 | 对比 | ||||||||
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DMN1019USN-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 680mW(Ta) ±8V SC-59-3 -55°C~150°C(TJ) 12V 9.3A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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