DMG7430LFGQ-7 与 DMG7430LFG-7 区别
| 型号 | DMG7430LFGQ-7 | DMG7430LFG-7 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMG7430LFGQ-7 | A-DMG7430LFG-7 | ||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 | MOSFET | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 11mΩ | ||
| 上升时间 | - | 21.2ns | ||
| 产品特性 | 车规 | - | ||
| Qg-栅极电荷 | - | 26.7nC | ||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1281 pF @ 15 V | - | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 2.5V | ||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 26.7 nC @ 10 V | - | ||
| 封装/外壳 | PowerDI3333-8 | PowerDI | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 10.5A(Ta) | 10.5A | ||
| 配置 | - | SingleTripleSourceQuadDrain | ||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | - | 4.5V,10V | ||
| 下降时间 | - | 5.1ns | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 900mW(Ta) | 2.2W | ||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 11mΩ@20A,10V | - | ||
| 典型关闭延迟时间 | - | 22.3ns | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 系列 | - | DMG7430 | ||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||
| 驱动电压 | 4.5V,10V | - | ||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - | 2.5V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 1281pF @ 15V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 26.7nC @ 10V | ||
| 典型接通延迟时间 | - | 5.2ns | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 1,943 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||
| 单价(含税) |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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DMG7430LFGQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 900mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55°C~150°C(TJ) 30V 10.5A(Ta) 车规 |
¥0.8206
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1,943 | 当前型号 | ||||
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DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel |
¥0.6919
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1,081 | 对比 | ||||
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DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |