首页 > 商品目录 > > > > DMG6602SVT-7代替型号比较

DMG6602SVT-7  与  FDC6333C  区别

型号 DMG6602SVT-7 FDC6333C
唯样编号 A36-DMG6602SVT-7 A32-FDC6333C
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET Dual N / P-Channel 30 V 95 mOhm PowerTrench Mosfet - SSOT-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
正向跨导-最小值 4 S -
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ@3.1A,10V 95m Ohms@2.5A,10V
上升时间 5 ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 840mW 700mW
Qg-栅极电荷 9 nC -
栅极电压Vgs 20V -
典型关闭延迟时间 13 ns -
FET类型 N+P-Channel N+P-Channel
封装/外壳 TSOT-23 SuperSOT
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.4A,2.8A 2.5A/2A
系列 DMG PowerTrench®
通道数量 2 Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 15V 282pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 10V 6.6nC @ 10V
典型接通延迟时间 3 ns -
库存与单价
库存 14,418 1
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6875
200+ :  ¥0.5239
1,500+ :  ¥0.455
3,000+ :  ¥0.403
1+ :  ¥0.6829
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG6602SVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

TSOT-23

¥0.6875 

阶梯数 价格
80: ¥0.6875
200: ¥0.5239
1,500: ¥0.455
3,000: ¥0.403
14,418 当前型号
AO6601 AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6

¥0.6391 

阶梯数 价格
80: ¥0.6391
200: ¥0.52
1,500: ¥0.4732
3,000: ¥0.442
3,994 对比
FDC6333C ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SuperSOT™-6 SuperSOT

¥1.705 

阶梯数 价格
30: ¥1.705
100: ¥1.364
144 对比
FDC6333C ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SuperSOT™-6 SuperSOT

¥0.6829 

阶梯数 价格
1: ¥0.6829
1 对比
FDC6333C ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SuperSOT™-6 SuperSOT

暂无价格 0 对比
AO6602L AOS  数据手册 功率MOSFET

6-TSOP

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售