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DMG6601LVT-7  与  FDC6333C  区别

型号 DMG6601LVT-7 FDC6333C
唯样编号 A36-DMG6601LVT-7 A36-FDC6333C
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N & P-Channel 30 V 110 mO Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet Dual N / P-Channel 30 V 95 mOhm PowerTrench Mosfet - SSOT-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 55mΩ,110mΩ 95m Ohms@2.5A,10V
上升时间 7.4ns,4.6ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.3W 700mW
Qg-栅极电荷 12.3nC,13.8nC -
栅极电压Vgs 500mV,400mV -
典型关闭延迟时间 31.2ns,18.3ns -
FET类型 N-Channel N+P-Channel
封装/外壳 TSOT-26 SuperSOT
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.8A,2.5A 2.5A/2A
系列 DMG6601 PowerTrench®
通道数量 2Channel -
配置 Dual -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 422pF @ 15V 282pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12.3nC @ 10V 6.6nC @ 10V
下降时间 15.6ns,2.2ns -
典型接通延迟时间 1.6ns,1.7ns -
库存与单价
库存 4,054 144
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
80+ :  ¥0.7007
200+ :  ¥0.5343
1,500+ :  ¥0.4641
3,000+ :  ¥0.4108
30+ :  ¥1.705
100+ :  ¥1.364
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TSOT-26

¥0.7007 

阶梯数 价格
80: ¥0.7007
200: ¥0.5343
1,500: ¥0.4641
3,000: ¥0.4108
4,054 当前型号
AO6601 AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6

¥0.6391 

阶梯数 价格
80: ¥0.6391
200: ¥0.52
1,500: ¥0.4732
3,000: ¥0.442
3,994 对比
FDC6333C ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SuperSOT™-6 SuperSOT

¥1.705 

阶梯数 价格
30: ¥1.705
100: ¥1.364
144 对比
FDC6333C ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SuperSOT™-6 SuperSOT

¥0.6829 

阶梯数 价格
1: ¥0.6829
1 对比
FDC6333C ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SuperSOT™-6 SuperSOT

暂无价格 0 对比
AO6602L AOS  数据手册 功率MOSFET

6-TSOP

暂无价格 0 对比

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