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DMG4822SSD-13  与  IRF7303PBF  区别

型号 DMG4822SSD-13 IRF7303PBF
唯样编号 A36-DMG4822SSD-13 A-IRF7303PBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N-Channel 30 V 0.08 Ohm 25 nC 2 W Generation V SMT Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ 50mΩ@2.4A,10V
上升时间 7.9ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.42W 2W
Qg-栅极电荷 10.5nC -
栅极电压Vgs 25V -
典型关闭延迟时间 14.6ns -
正向跨导 - 最小值 200mS -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SO-8 8-SO
连续漏极电流Id 10A 4.9A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 DMG4822 HEXFET®
通道数量 2Channel -
配置 Dual -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 520pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 10V
下降时间 3.1ns -
典型接通延迟时间 2.9ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 520pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 10V
库存与单价
库存 18 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG4822SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

10A 1.42W 20mΩ 30V 25V SO-8 -55°C~150°C N-Channel

暂无价格 18 当前型号
AO4822A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@8A,10V -55°C~150°C

¥2.211 

阶梯数 价格
30: ¥2.211
100: ¥1.782
750: ¥1.584
1,500: ¥1.496
3,000: ¥1.419
6,024 对比
AO4842 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 7.7A 2W 21mΩ@10V

¥1.0076 

阶梯数 价格
50: ¥1.0076
200: ¥0.7755
1,500: ¥0.6732
2,513 对比
AO4822A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@8A,10V -55°C~150°C

¥3.2745 

阶梯数 价格
490: ¥3.2745
1,000: ¥2.5767
1,500: ¥2.0151
3,000: ¥1.5718
0 对比
IRF7303TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 50mΩ@2.4A,10V 2W N-Channel 30V 4.9A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7303PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 50mΩ@2.4A,10V 2W N-Channel 30V 4.9A 8-SO

暂无价格 0 对比

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