DMG4822SSD-13 与 AO4822A 区别
| 型号 | DMG4822SSD-13 | AO4822A | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-DMG4822SSD-13 | A-AO4822A | ||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | AOS | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 20mΩ | 19mΩ@8A,10V | ||||||||||
| 上升时间 | 7.9ns | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.42W | 2W | ||||||||||
| Qg-栅极电荷 | 10.5nC | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | 25V | 20V | ||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 14.6ns | - | ||||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | 200mS | - | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | SO-8 | SO-8 | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 10A | 8A | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||||
| 系列 | DMG4822 | - | ||||||||||
| 通道数量 | 2Channel | - | ||||||||||
| 配置 | Dual | - | ||||||||||
| 下降时间 | 3.1ns | - | ||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 2.9ns | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 2,500 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DMG4822SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A 1.42W 20mΩ 30V 25V SO-8 -55°C~150°C N-Channel |
￥1.991
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2,500 | 当前型号 | ||||||||||
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IRF7303TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 50mΩ@2.4A,10V 2W N-Channel 30V 4.9A 8-SO |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||||||
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AO4842 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 7.7A 2W 21mΩ@10V |
￥1.0076
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2,263 | 对比 | ||||||||||
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AO4822A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
￥1.991
|
1,822 | 对比 | ||||||||||
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AO4822A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
￥1.5718
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0 | 对比 | ||||||||||
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IRF7303PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 50mΩ@2.4A,10V 2W N-Channel 30V 4.9A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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