DMG4800LK3-13 与 IRLR3103TRPBF 区别
| 型号 | DMG4800LK3-13 | IRLR3103TRPBF | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMG4800LK3-13 | A-IRLR3103TRPBF | ||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3 | Single N-Channel 30 V 107 W 50 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 19mΩ@33A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.71W(Ta) | 107W(Tc) | ||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 17mΩ@9A,10V | - | ||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 798 pF @ 10 V | - | ||||
| 栅极电压Vgs | ±25V | ±16V | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 8.7 nC @ 5 V | - | ||||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | D-Pak | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 10A(Ta) | 55A | ||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||
| 驱动电压 | 4.5V,10V | - | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1600pF @ 25V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 50nC @ 4.5V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1600pF @ 25V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 50nC @ 4.5V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 344 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DMG4800LK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.71W(Ta) ±25V TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 10A(Ta) |
￥2.002
|
344 | 当前型号 | ||||||||||
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AOD480 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 30V ±20V 25A 21W 23mΩ@20A,10V -55°C~175°C |
￥1.4286
|
2 | 对比 | ||||||||||
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IRLR3103TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 107W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 19mΩ@33A,10V N-Channel 30V 55A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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