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DMG4496SSS-13  与  FDS6612A  区别

型号 DMG4496SSS-13 FDS6612A
唯样编号 A36-DMG4496SSS-13 A-FDS6612A
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP N-Channel 30 V 22 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 22m Ohms@8.4A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.42W(Ta) 2.5W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 21.5mΩ@10A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 493.5 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±25V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 10.2 nC @ 10 V -
封装/外壳 8-SO 8-SOIC
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10A(Ta) 8.4A
系列 - PowerTrench®
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 560pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 7.6nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG4496SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.42W(Ta) ±25V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 10A(Ta)

暂无价格 0 当前型号
AO4496 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 10A 3.1W 19.5mΩ@10A,10V -55℃~150℃

¥0.4049 

阶梯数 价格
130: ¥0.4049
3,000: ¥0.378
6,817 对比
FDS6612A ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8.4A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 22m Ohms@8.4A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 8.4A 8-SOIC

暂无价格 0 对比
AO4496 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 10A 3.1W 19.5mΩ@10A,10V -55℃~150℃

¥3.3397 

阶梯数 价格
490: ¥3.3397
1,000: ¥2.628
1,500: ¥2.0552
3,000: ¥1.6031
0 对比
AO4496 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 10A 3.1W 19.5mΩ@10A,10V -55℃~150℃

暂无价格 0 对比

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