DMG4466SSS-13 与 AO4496 区别
| 型号 | DMG4466SSS-13 | AO4496 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-DMG4466SSS-13 | A36-AO4496 | ||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | AOS | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10A 8SO | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| Crss(pF) | - | 55 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 33mΩ | 19.5mΩ@10A,10V | ||||||||||||
| 上升时间 | 7.9ns | - | ||||||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 26mΩ | ||||||||||||
| Qgd(nC) | - | 2.2 | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | 25V | ±20V | ||||||||||||
| Td(on)(ns) | - | 5 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SO | SO-8 | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 10A | 10A | ||||||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||||||
| Ciss(pF) | - | 550 | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||||||
| 下降时间 | 3.1ns | - | ||||||||||||
| Trr(ns) | - | 22 Ohms | ||||||||||||
| Td(off)(ns) | - | 24 | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.42W | 3.1W | ||||||||||||
| Qrr(nC) | - | 14 | ||||||||||||
| VGS(th) | - | 2.5 | ||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 14.6ns | - | ||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||
| 系列 | DMG4466 | - | ||||||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.4V @ 250µA | - | ||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 478.9pF @ 15V | - | ||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 17nC @ 10V | - | ||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 2.9ns | - | ||||||||||||
| Coss(pF) | - | 110 | ||||||||||||
| Qg*(nC) | - | 4.6 | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 3,098 | 2,709 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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DMG4466SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SO 10A 1.42W 33mΩ 30V 25V |
￥0.9526
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3,098 | 当前型号 | ||||||||
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AO4496 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10A 3.1W 19.5mΩ@10A,10V -55°C~150°C |
￥0.6061
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2,709 | 对比 | ||||||||
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FDS6612A | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.4A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 22m Ohms@8.4A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 8.4A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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FDS6612A | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.4A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 22m Ohms@8.4A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 8.4A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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FDS8884 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
8.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 23m Ohms@8.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 8.5A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
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AO4496 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10A 3.1W 19.5mΩ@10A,10V -55°C~150°C |
￥1.6031
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0 | 对比 |
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