DMG3418L-7 与 FDN335N 区别
| 型号 | DMG3418L-7 | FDN335N | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-DMG3418L-7 | A36-FDN335N-1 | ||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ON Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | N-Channel 20 V 0.07 Ohm 2.5 V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3 | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 60mΩ@4A,10V | - | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | - | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.4W(Ta) | - | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | - | ||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23-3 | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 4A | - | ||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | - | ||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 464.3pF @ 15V | - | ||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 5.5nC @ 4.5V | - | ||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,10V | - | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 8,625 | 4,468 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DMG3418L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.4W(Ta) 60mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 4A |
￥0.5447
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8,625 | 当前型号 | ||||||||||
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AO3402 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55°C~150°C |
￥0.6201
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88,862 | 对比 | ||||||||||
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AO3434A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V 12V 4A 1.4W 52mΩ@10V |
￥0.627
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5,608 | 对比 | ||||||||||
|
FDN335N | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
￥0.935
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4,468 | 对比 | ||||||||||
|
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FDN335N | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||
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AO3418 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V ±12V 3.8A 1.4W 60mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C |
￥0.5723
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1,655 | 对比 |
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