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DMG3418L-7  与  FDN335N  区别

型号 DMG3418L-7 FDN335N
唯样编号 A36-DMG3418L-7 A3-FDN335N-2
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 N-Channel 20 V 0.07 Ohm 2.5 V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ@4A,10V -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 1.4W(Ta) -
栅极电压Vgs ±12V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 SOT-23 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 4A -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 464.3pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,10V -
库存与单价
库存 20,205 3,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
100+ :  ¥0.533
200+ :  ¥0.3432
1,500+ :  ¥0.2977
3,000+ :  ¥0.2639
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG3418L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.4W(Ta) 60mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 4A

¥0.533 

阶梯数 价格
100: ¥0.533
200: ¥0.3432
1,500: ¥0.2977
3,000: ¥0.2639
20,205 当前型号
FDN337N ON Semiconductor 通用MOSFET

±8V 500mW(Ta) 65m Ohms@2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 30V 2.2A 2.2A(Ta) 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.6193 

阶梯数 价格
90: ¥0.6193
200: ¥0.5057
1,500: ¥0.4589
3,000: ¥0.429
22,938 对比
FDN335N ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.9009 

阶梯数 价格
60: ¥0.9009
200: ¥0.6941
1,500: ¥0.6028
3,000: ¥0.561
6,785 对比
AO3424 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 30V ±12V 3.8A 1.4W 55mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C

¥0.5866 

阶梯数 价格
90: ¥0.5866
200: ¥0.3786
1,500: ¥0.3287
3,000: ¥0.2912
4,181 对比
FDN335N ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 3,000 对比
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55°C~150°C

¥0.5852 

阶梯数 价格
90: ¥0.5852
200: ¥0.4472
1,500: ¥0.3874
2,798 对比

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