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DMG3406L-7  与  BSS306NH6327XTSA1  区别

型号 DMG3406L-7 BSS306NH6327XTSA1
唯样编号 A36-DMG3406L-7 A36-BSS306NH6327XTSA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 500mW(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 770mW(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 50mΩ@3.6A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 495 pF @ 15 V 275pF @ 15V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 11.2 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-23-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.6A(Ta) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 11uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 1.5nC @ 5V
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 57 毫欧 @ 2.3A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 2.3A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 3,595 0
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
90+ :  ¥0.5753
200+ :  ¥0.4394
1,500+ :  ¥0.3822
3,000+ :  ¥0.338
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG3406L-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.5753 

阶梯数 价格
90: ¥0.5753
200: ¥0.4394
1,500: ¥0.3822
3,000: ¥0.338
3,595 当前型号
DMG3406L-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.616 

阶梯数 价格
90: ¥0.616
100: ¥0.5018
500: ¥0.4563
2,500: ¥0.4225
5,000: ¥0.3952
10,000: ¥0.3692
10,564 对比
IRLML6346TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥1.1499 

阶梯数 价格
140: ¥1.1499
500: ¥1.1499
1,000: ¥1.1212
4,000: ¥1.0939
5,500 对比
IRLML6346TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.7326 

阶梯数 价格
70: ¥0.7326
200: ¥0.5967
1,480 对比
IRLML6346TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 对比
BSS306NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS306N H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比

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