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DMG2305UX-7  与  IRLML6402TRPBF  区别

型号 DMG2305UX-7 IRLML6402TRPBF
唯样编号 A36-DMG2305UX-7 A36-IRLML6402TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 20 V 52 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 52mΩ@4.2A,4.5V 65mΩ@3.7A,4.5V
上升时间 13.7ns -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W 1.3W
Qg-栅极电荷 10.2nC -
栅极电压Vgs ±8V ±12V
典型关闭延迟时间 79.3ns -
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 5A 3.7A
系列 DMG2305 HEXFET®
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA 1.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 808pF @ 15V 633pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.2nC @ 4.5V 12nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V 2.5V,4.5V
下降时间 34.7ns -
典型接通延迟时间 10.8ns -
库存与单价
库存 27,471 26,762
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
120+ :  ¥0.4316
200+ :  ¥0.2795
1,500+ :  ¥0.279
3,000+ :  ¥0.2475
70+ :  ¥0.7425
200+ :  ¥0.5655
1,500+ :  ¥0.4927
3,000+ :  ¥0.4342
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG2305UX-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.4316 

阶梯数 价格
120: ¥0.4316
200: ¥0.2795
1,500: ¥0.279
3,000: ¥0.2475
27,471 当前型号
IRLML6402TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.5459 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.5459
6,000: ¥0.5323
12,000: ¥0.5189
24,000: ¥0.506
48,000: ¥0.4934
90,000 对比
IRLML6402TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.5459 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.5459
6,000: ¥0.5323
12,000: ¥0.5189
24,000: ¥0.506
36,000 对比
IRLML6402TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.7425 

阶梯数 价格
70: ¥0.7425
200: ¥0.5655
1,500: ¥0.4927
3,000: ¥0.4342
26,762 对比
IRLML6402TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.5459 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.5459
6,000: ¥0.5323
12,000: ¥0.5189
24,000: ¥0.506
24,000 对比
IRLML6402TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.5459 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.5459
6,000: ¥0.5323
12,000: ¥0.5189
24,000: ¥0.506
24,000 对比

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