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DMG2301LK-7  与  NTR1P02T1  区别

型号 DMG2301LK-7 NTR1P02T1
唯样编号 A36-DMG2301LK-7 A3t-NTR1P02T1
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 400mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 180 毫欧 @ 1.5A,10V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 840mW(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 160mΩ@1A,4.5V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 156 pF @ 6 V -
栅极电压Vgs ±12V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 3.4 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-23-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.4A(Ta) 1A(Ta)
驱动电压 1.8V,4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 165pF @ 5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.5nC @ 5V
库存与单价
库存 9,334 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
90+ :  ¥0.6193
200+ :  ¥0.5057
1,500+ :  ¥0.4589
3,000+ :  ¥0.429
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG2301LK-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 840mW(Ta) ±12V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 20V 2.4A(Ta)

¥0.6193 

阶梯数 价格
90: ¥0.6193
200: ¥0.5057
1,500: ¥0.4589
3,000: ¥0.429
9,334 当前型号
NTR1P02T1 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 20V 1A(Ta) ±20V 180 毫欧 @ 1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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