DMG1016UDW-7 与 PMGD290UCEAX 区别
| 型号 | DMG1016UDW-7 | PMGD290UCEAX | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-DMG1016UDW-7 | A-PMGD290UCEAX | ||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Nexperia | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||
| 描述 | Dual N & P-Channel 20 V 450 mOhm Enhancement Mode Mosfet | MOSFET N/P-CH 20V 6TSSOP | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 450mΩ@600mA,4.5V | - | ||||||||
| 上升时间 | 7.4ns,8.1ns | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 330mW | 0.28W | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | 736.6nC,622.4pC | - | ||||||||
| 输出电容 | - | 15pF | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±6V | 0.75V,8V | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 26.7ns,28.4ns | - | ||||||||
| FET类型 | N+P-Channel | N+P-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | SOT363 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 1.066A,845mA | 0.725A | ||||||||
| 系列 | DMG1016 | - | ||||||||
| 通道数量 | 2Channel | - | ||||||||
| 配置 | Dual | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 60.67pF @ 10V | - | ||||||||
| 输入电容 | - | 55pF | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 0.74nC @ 4.5V | - | ||||||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 380mΩ@4.5V,620mΩ@2.5V | ||||||||
| 下降时间 | 12.3ns,20.72ns | - | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | 5.1ns,5.1ns | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 9,000 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DMG1016UDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-363 1.066A,845mA 330mW 450mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N+P-Channel |
￥0.6019
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9,000 | 当前型号 | ||||||||||
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PMGD290UCEAX | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT363 N+P-Channel 0.28W 150°C 0.75V,8V 20V 0.725A 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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PMGD290UCEAX | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT363 N+P-Channel 0.28W 150°C 0.75V,8V 20V 0.725A 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AO7600 | AOS | 数据手册 | 小信号MOSFET |
300mΩ@900mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70 N+P-Channel 20V 0.9A,0.6A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BSD235C H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
20V 950mA,530mA 266mΩ,745mΩ 12V 500mW(1/2W) N+P-Channel -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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