DMG1012T-13 与 DMG1012T-7 区别
| 型号 | DMG1012T-13 | DMG1012T-7 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMG1012T-13 | A-DMG1012T-7 | ||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R | MOSFET | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 400mΩ@600mA,4.5V | ||
| 上升时间 | - | 7.4ns | ||
| Qg-栅极电荷 | - | 736.6pC | ||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 60.67 pF @ 16 V | - | ||
| 栅极电压Vgs | ±6V | ±6V | ||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 0.737 nC @ 4.5 V | - | ||
| 封装/外壳 | SOT-523 | SOT-523 | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 630mA(Ta) | 630mA | ||
| 配置 | - | Single | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 1.8V,4.5V | ||
| 下降时间 | - | 12.3ns | ||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 280mW(Ta) | 280mW | ||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 400mΩ@600mA,4.5V | - | ||
| 典型关闭延迟时间 | - | 26.7ns | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 系列 | - | DMG1012 | ||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||
| 驱动电压 | 1.8V,4.5V | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 60.67pF @ 16V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 0.74nC @ 4.5V | ||
| 典型接通延迟时间 | - | 5.1ns | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 245 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DMG1012T-13 | Diodes Incorporated | 小信号MOSFET |
N-Channel 280mW(Ta) ±6V SOT-523 -55°C~150°C(TJ) 20V 630mA(Ta) |
￥0.494
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245 | 当前型号 | |||||
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DMG1012T-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-523 630mA 280mW 400mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N-Channel |
暂无价格 | 3 | 对比 | ||||
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DMG1012T-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-523 630mA 280mW 400mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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DMG1012T-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-523 630mA 280mW 400mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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