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DMC6040SSD-13  与  IRF7343PBF  区别

型号 DMC6040SSD-13 IRF7343PBF
唯样编号 A36-DMC6040SSD-13 A-IRF7343PBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO Double HexFet -55/55 V 2 W 36/38 nC Generation V Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 50mΩ@4.7A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) - 2W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 40mΩ@8A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1130pF @ 15V -
FET类型 N+P-Channel N+P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 20.8nC @ 10V -
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.1A,3.1A 4.7A,3.4A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 740pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 36nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 740pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 36nC @ 10V
库存与单价
库存 2,300 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.474
100+ :  ¥1.144
1,250+ :  ¥0.9911
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMC6040SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N+P-Channel 8-SO -55℃~150℃(TJ) 60V 5.1A,3.1A

¥1.474 

阶梯数 价格
40: ¥1.474
100: ¥1.144
1,250: ¥0.9911
2,300 当前型号
AO4612 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 60V 20V 4.5A 2W 56mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C

¥2.926 

阶梯数 价格
20: ¥2.926
100: ¥2.332
295 对比
IRF7343TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 50mΩ@4.7A,10V 2W N+P-Channel 55V 4.7A,3.4A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7343PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 50mΩ@4.7A,10V 2W N+P-Channel 55V 4.7A,3.4A 8-SO

暂无价格 0 对比
BSO615C G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO615CGHUMA1_60V 3.1A,2A 70mΩ,190mΩ 20V 2W N+P-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
AO4612 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 60V 20V 4.5A 2W 56mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C

¥5.8359 

阶梯数 价格
480: ¥5.8359
1,000: ¥4.5922
1,500: ¥3.5913
3,000: ¥2.8012
0 对比

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