DMC3032LSD-13 与 IRF7319PBF 区别
| 型号 | DMC3032LSD-13 | IRF7319PBF | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMC3032LSD-13 | A-IRF7319PBF | ||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | - | 2W | ||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 32mΩ@7A,10V | - | ||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 404.5pF @ 15V | - | ||||
| FET类型 | N+P-Channel | N+P-Channel | ||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 9.2nC @ 10V | - | ||||
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SO | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 8.1A,7A | 6.5A,4.9A | ||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 29mΩ@5.8A,10V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 650pF @ 25V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 33nC @ 10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 228 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DMC3032LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N+P-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 8.1A,7A |
￥2.088
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228 | 当前型号 | ||||||
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IRF7105TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 100mΩ@1A,10V 2W N+P-Channel 25V 3.5A,2.3A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRF7319TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 29mΩ@5.8A,10V 2W N+P-Channel 30V 6.5A,4.9A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRF7389TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 29mΩ@5.8A,10V 2.5W N+P-Channel 30V 7.3A,5.3A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRF7105PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100mΩ@1A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) N+P-Channel 25V 3.5A,2.3A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRF7319PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
29mΩ@5.8A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) N+P-Channel 30V 6.5A,4.9A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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