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DMC3032LSD-13  与  IRF7309TRPBF  区别

型号 DMC3032LSD-13 IRF7309TRPBF
唯样编号 A36-DMC3032LSD-13 A-IRF7309TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 50mΩ@2.4A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) - 1.4W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 32mΩ@7A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 404.5pF @ 15V -
FET类型 N+P-Channel N+P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 9.2nC @ 10V -
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 8.1A,7A 4A,3A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 520pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 520pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 4.5V
库存与单价
库存 800 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.639
100+ :  ¥1.254
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMC3032LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N+P-Channel 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 8.1A,7A

¥1.639 

阶梯数 价格
40: ¥1.639
100: ¥1.254
800 当前型号
IRF7105TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 100mΩ@1A,10V 2W N+P-Channel 25V 3.5A,2.3A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7389TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 29mΩ@5.8A,10V 2.5W N+P-Channel 30V 7.3A,5.3A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7105PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

100mΩ@1A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) N+P-Channel 25V 3.5A,2.3A 8-SO

暂无价格 0 对比
AO4613 AOS  数据手册 功率MOSFET

N+P-Channel 24 mΩ @ 7.2A,10V 8-SOIC 2W -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
IRF7309TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 50mΩ@2.4A,10V 1.4W N+P-Channel 30V 4A,3A 8-SO

暂无价格 0 对比

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