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DMC3025LSD-13  与  AO4616  区别

型号 DMC3025LSD-13 AO4616
唯样编号 A36-DMC3025LSD-13 A36-AO4616
制造商 Diodes Incorporated AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N/P-Channel 30 V 32/85 mOhm 4.6/5.1 nC 1.2 W Silicon SMT Mosfet SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 82
Td(off)(ns) - 19
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ@7.4A,10V 20mΩ@8A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Rds On(Max)@4.5V - 28mΩ
Pd-功率耗散(Max) 1.2W 2W
Qrr(nC) - 18
VGS(th) - 2.4
Qgd(nC) - 3
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N+P-Channel N-Channel
Td(on)(ns) - 5
封装/外壳 SO SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 6.5A,4.2A 8.5A
Ciss(pF) - 740
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 501pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.8nC @ 10V -
Trr(ns) - 8
Coss(pF) - 110
Qg*(nC) - 7.5
库存与单价
库存 7,162 17,631
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
60+ :  ¥0.8748
100+ :  ¥0.6732
1,250+ :  ¥0.5694
40+ :  ¥1.551
100+ :  ¥1.199
750+ :  ¥0.9966
1,500+ :  ¥0.9064
3,000+ :  ¥0.8415
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMC3025LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

20mΩ@7.4A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO N+P-Channel 30V 6.5A,4.2A

¥0.8748 

阶梯数 价格
60: ¥0.8748
100: ¥0.6732
1,250: ¥0.5694
7,162 当前型号
AO4616 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 8.5A 2W 20mΩ@8A,10V -55°C~150°C

¥1.551 

阶梯数 价格
40: ¥1.551
100: ¥1.199
750: ¥0.9966
1,500: ¥0.9064
3,000: ¥0.8415
17,631 对比
AO4616 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 8.5A 2W 20mΩ@8A,10V -55°C~150°C

¥3.6192 

阶梯数 价格
480: ¥3.6192
1,000: ¥2.8479
1,500: ¥2.2272
3,000: ¥1.7372
6,000 对比
AO4616 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 8.5A 2W 20mΩ@8A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
IRF9389TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 27mΩ@6.8A,10V 2W N+P-Channel 30V 6.8A,4.6A 8-SO

暂无价格 0 对比
AUIRF7309QTR Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V 4A,3A 50mΩ@2.4A,10V 1.4W -55°C~150°C(TJ) 8-SO 车规

暂无价格 0 对比

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