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DMC3025LSD-13  与  IRF9389TRPBF  区别

型号 DMC3025LSD-13 IRF9389TRPBF
唯样编号 A36-DMC3025LSD-13-1 A-IRF9389TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N/P-Channel 30 V 32/85 mOhm 4.6/5.1 nC 1.2 W Silicon SMT Mosfet SOIC-8 N/P-Channel ±30 V 27/64 mO 2 W HEXFET Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ@7.4A,10V 27mΩ@6.8A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.2W 2W
FET类型 N+P-Channel N+P-Channel
封装/外壳 SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.5A,4.2A 6.8A,4.6A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA 2.3V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 501pF @ 15V 398pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.8nC @ 10V 14nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.3V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 398pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
库存与单价
库存 8,037 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
90+ :  ¥0.6198
2,500+ :  ¥0.5742
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMC3025LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

20mΩ@7.4A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO N+P-Channel 30V 6.5A,4.2A

¥0.6198 

阶梯数 价格
90: ¥0.6198
2,500: ¥0.5742
8,037 当前型号
AO4616 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 8.5A 2W 20mΩ@8A,10V -55℃~150℃

¥1.43 

阶梯数 价格
40: ¥1.43
100: ¥1.144
750: ¥1.0208
1,500: ¥0.9636
3,000: ¥0.9141
21,739 对比
AO4616 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 8.5A 2W 20mΩ@8A,10V -55℃~150℃

¥3.6192 

阶梯数 价格
480: ¥3.6192
1,000: ¥2.8479
1,500: ¥2.2272
3,000: ¥1.7372
6,000 对比
AO4616 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 8.5A 2W 20mΩ@8A,10V -55℃~150℃

暂无价格 0 对比
IRF9389TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 27mΩ@6.8A,10V 2W N+P-Channel 30V 6.8A,4.6A 8-SO

暂无价格 0 对比
AUIRF7309QTR Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V 4A,3A 50mΩ@2.4A,10V 1.4W -55°C~150°C(TJ) 8-SO 车规

暂无价格 0 对比

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