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DMC3021LSD-13  与  SH8M14TB1  区别

型号 DMC3021LSD-13 SH8M14TB1
唯样编号 A36-DMC3021LSD-13 A-SH8M14TB1
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A SOP
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
漏源极电压Vds 30V -
功率-最大值 - 2W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 21mΩ@7A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 767pF @ 10V 630pF @ 10V
FET类型 N+P-Channel N+P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 16.1nC @ 10V -
封装/外壳 8-SO 8-SOP
工作温度 -55℃~150℃(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 8.5A,7A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
FET功能 - 逻辑电平门
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 21 毫欧 @ 9A,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 9A,7A
漏源电压(Vdss) - 30V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 8.5nC @ 5V
库存与单价
库存 19,704 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.43
100+ :  ¥1.1
1,250+ :  ¥0.9559
2,500+ :  ¥0.902
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMC3021LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N+P-Channel 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 8.5A,7A

¥1.43 

阶梯数 价格
40: ¥1.43
100: ¥1.1
1,250: ¥0.9559
2,500: ¥0.902
19,704 当前型号
DMC3018LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

20mΩ@6.9A,10V 2.5W -55°C~150°C(TJ) SOP N+P-Channel 30V 9.1A,6A

暂无价格 0 对比
SH8M14TB1 ROHM Semiconductor 功率MOSFET

150°C(TJ) N+P-Channel 8-SOP

暂无价格 0 对比
AO4627 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 4.5A 2W 50mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AO4616L_103 AOS 功率MOSFET

8.1A (Ta),7.1A (Ta) N+P-Channel 20 mΩ @ 8.1A,10V,25 mΩ @ 7.1A,10V 8-SOIC 2W -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比

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