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DMC2020USD-13  与  IRF7307PBF  区别

型号 DMC2020USD-13 IRF7307PBF
唯样编号 A36-DMC2020USD-13 A-IRF7307PBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N/P-Channel 20 V 28/45 mOhm 11.6/15.4 nC 2.14 W Silicon Mosfet - SOIC-8 Dual N/P-Channel 20/20 V 2 W 20/22 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ@7A,4.5V 50mΩ@2.6A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.8W 2W
FET类型 N+P-Channel N+P-Channel
封装/外壳 SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 8.5A,6.8A 5.7A,4.7A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1149pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11.6nC @ 4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 700mV @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 660pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMC2020USD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

20mΩ@7A,4.5V 1.8W -55°C~150°C(TJ) SO N+P-Channel 20V 8.5A,6.8A

暂无价格 0 当前型号
IRF7317PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

29mΩ@6A,4.5V 2W -55°C~150°C(TJ) N+P-Channel 20V 6.6A,5.3A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7307TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 50mΩ@2.6A,4.5V 2W N+P-Channel 20V 5.7A,4.7A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7317TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 29mΩ@6A,4.5V 2W N+P-Channel 20V 6.6A,5.3A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7307PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

50mΩ@2.6A,4.5V 2W -55°C~150°C(TJ) N+P-Channel 20V 5.7A,4.7A 8-SO

暂无价格 0 对比

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