DDTC144VCA-7-F 与 MMUN2214LT1G 区别
| 型号 | DDTC144VCA-7-F | MMUN2214LT1G | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-DDTC144VCA-7-F | A36-MMUN2214LT1G | ||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ON Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||||
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | MMUN Series 50 V 100 mA 10 kOhm NPN Silicon Bias Resistor Transistor - SOT-23 | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| R2 | 10k Ohms | - | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 200mW | - | ||||||||||||||
| 电流-集电极截止（最大值） | - | 500nA | ||||||||||||||
| 功率 | - | 0.246W | ||||||||||||||
| 特征频率fT | 250 MHz | - | ||||||||||||||
| 产品特性 | - | 带阻/预偏置 | ||||||||||||||
| 电阻器-基底（R1）（欧姆） | - | 10k | ||||||||||||||
| 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆） | - | 47K Ohms | ||||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 300mV | - | ||||||||||||||
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | - | 250mV @ 300µA,10mA | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23 | ||||||||||||||
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | - | 80 @ 5mA,10V | ||||||||||||||
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | - | 50V | ||||||||||||||
| 集电极连续电流 | 100mA | - | ||||||||||||||
| 集电极最大允许电流Ic | - | 100mA | ||||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 33 | - | ||||||||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | 50V | - | ||||||||||||||
| 晶体管类型 | NPN | NPN | ||||||||||||||
| R1 | 47k Ohms | - | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 4,971 | 30,123 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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DDTC144VCA-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
300mV 33 SOT-23-3 200mW 50V 100mA 250 MHz NPN |
￥0.2002
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4,971 | 当前型号 | ||||||||||||
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MMUN2214LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 NPN 带阻/预偏置 |
￥0.5522
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30,123 | 对比 | ||||||||||||
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DTC144VKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SMT NPN |
￥1.0342
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9,000 | 对比 | ||||||||||||
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PDTC144VT,215 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 250mW 50V 100mA 150mV 40 NPN |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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