DDTA144TCA-7-F 与 DTA115GKAT146 区别
| 型号 | DDTA144TCA-7-F | DTA115GKAT146 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DDTA144TCA-7-F | A33-DTA115GKAT146 | ||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 | DTA115GKA Series 50 V 100 mA Surface Mount PNP Digital Transistor - SC-59 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 200mW | - | ||||||||
| 电流-集电极截止（最大值） | - | 500nA(ICBO) | ||||||||
| 功率 | - | 1/5W | ||||||||
| 特征频率fT | 250 MHz | - | ||||||||
| 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆） | - | 100k | ||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 300mV | - | ||||||||
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | - | 300mV @ 250µA,5mA | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SMT | ||||||||
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | - | 82 @ 5mA,5V | ||||||||
| 集电极电流Ic | 100mA | - | ||||||||
| 频率-跃迁 | - | 250MHz | ||||||||
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | - | 50V | ||||||||
| 集电极最大允许电流Ic | - | 100mA | ||||||||
| 直流电流增益hFE | 100 | - | ||||||||
| 集电极-发射极Vceo | 50V | - | ||||||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||||||
| R1 | 47k Ohms | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 5,440 | 3,000 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 28 - 35天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DDTA144TCA-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23-3 200mW 50V 100mA PNP |
￥0.176
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5,440 | 当前型号 | ||||||||||
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PDTA144ET,215 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 250mW -50V -100mA 车规 PNP |
￥0.4895
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15,000 | 对比 | ||||||||||
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DTA144EKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW -50V -30mA PNP |
￥0.6372
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8,990 | 对比 | ||||||||||
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DTA144EKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW -50V -30mA PNP |
￥0.5867
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6,000 | 对比 | ||||||||||
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DTA115GKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SMT PNP |
￥0.2821
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3,000 | 对比 | ||||||||||
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DTB114GKT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW -50V -500mA PNP |
￥1.4251
|
3,000 | 对比 |
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