DDTA115TCA-7-F 与 DTB114GKT146 区别
| 型号 | DDTA115TCA-7-F | DTB114GKT146 | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-DDTA115TCA-7-F | A33-DTB114GKT146-0 | ||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||||
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| R2 | - | 10K Ohms | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 200mW | ||||||||||||||
| 特征频率fT | - | 200MHz | ||||||||||||||
| 产品特性 | 带阻/预偏置 | - | ||||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | - | -300mV | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | - | SOT-346 | ||||||||||||||
| VCBO | - | -50V | ||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||||
| VEBO | - | -5V | ||||||||||||||
| 集电极连续电流 | - | -500mA | ||||||||||||||
| 直流电流增益hFE | - | 56 | ||||||||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | - | -50V | ||||||||||||||
| 晶体管类型 | - | PNP | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 2,839 | 3,000 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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DDTA115TCA-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
带阻/预偏置 |
￥0.1733
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2,839 | 当前型号 | ||||||||||||
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DTB114GKT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW -50V -500mA -300mV 56 200MHz PNP |
￥2.4627
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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DTA115GKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SMT PNP |
￥0.2821
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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DTA124GKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SMT PNP |
￥0.2821
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2,990 | 对比 | ||||||||||||
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DTA143TKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW -50V -100mA -300mV 100 250MHz PNP |
暂无价格 | 2,960 | 对比 | ||||||||||||
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DTB114GKT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW -50V -500mA -300mV 56 200MHz PNP |
￥2.4627
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2,900 | 对比 |
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