DDTA115TCA-7-F 与 DTA115GKAT146 区别
| 型号 | DDTA115TCA-7-F | DTA115GKAT146 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-DDTA115TCA-7-F | A33-DTA115GKAT146 | ||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 | DTA115GKA Series 50 V 100 mA Surface Mount PNP Digital Transistor - SC-59 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | - | 82 @ 5mA,5V | ||||||||||
| 封装/外壳 | - | SMT | ||||||||||
| 电流-集电极截止（最大值） | - | 500nA(ICBO) | ||||||||||
| 功率 | - | 1/5W | ||||||||||
| 频率-跃迁 | - | 250MHz | ||||||||||
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | - | 50V | ||||||||||
| 产品特性 | 带阻/预偏置 | - | ||||||||||
| 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆） | - | 100k | ||||||||||
| 集电极最大允许电流Ic | - | 100mA | ||||||||||
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | - | 300mV @ 250µA,5mA | ||||||||||
| 晶体管类型 | - | PNP | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 2,839 | 3,000 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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DDTA115TCA-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
带阻/预偏置 |
￥0.1733
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2,839 | 当前型号 | ||||||||||||||
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DTA115GKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SMT PNP |
￥0.2821
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3,000 | 对比 | ||||||||||||||
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DTB114GKT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW -50V -500mA -300mV 56 200MHz PNP |
￥4.0247
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3,000 | 对比 | ||||||||||||||
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DTA124GKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SMT PNP |
￥0.2821
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2,990 | 对比 | ||||||||||||||
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DTA143TKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW -50V -100mA -300mV 100 250MHz PNP |
暂无价格 | 2,960 | 对比 | ||||||||||||||
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DTB114GKT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW -50V -500mA -300mV 56 200MHz PNP |
￥4.0247
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2,900 | 对比 |
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