DDTA114GCA-7-F 与 PDTA114ET,215 区别
| 型号 | DDTA114GCA-7-F | PDTA114ET,215 | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-DDTA114GCA-7-F | A36-PDTA114ET,215 | ||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Nexperia | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||||
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 | TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| R2 | 10k Ohms | - | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 200mW | 250mW | ||||||||||||||
| 特征频率fT | 250 MHz | 180MHz | ||||||||||||||
| 产品特性 | - | 带阻/预偏置 | ||||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 300mV | -150mV | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23 | ||||||||||||||
| VCBO | - | -50V | ||||||||||||||
| 工作温度 | - | -65°C~150°C | ||||||||||||||
| VEBO | - | -10V | ||||||||||||||
| 尺寸 | - | 2.9*1.3*1 | ||||||||||||||
| 集电极连续电流 | 100mA | -100mA | ||||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 30 | 30 | ||||||||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | 50V | -50V | ||||||||||||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 37,105 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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DDTA114GCA-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
300mV 30 SOT-23-3 200mW 50V 100mA 250 MHz PNP |
￥0.2372
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||||||
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DTA114EKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW -50V -50mA -300mV 30 250MHz PNP |
￥0.2355
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264,040 | 对比 | ||||||||||||||
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PDTA114ET,215 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 250mW -50V -100mA -150mV 30 180MHz PNP 带阻/预偏置 |
￥0.6369
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37,105 | 对比 | ||||||||||||||
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DTA144EKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW -50V -30mA -300mV 68 250MHz PNP |
￥0.9447
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6,000 | 对比 | ||||||||||||||
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DTB114GKT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW -50V -500mA -300mV 56 200MHz PNP |
￥4.0247
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3,000 | 对比 | ||||||||||||||
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DTA115GKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SMT PNP |
￥0.2821
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3,000 | 对比 |
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