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DDC124EU-7-F  与  MUN5212DW1T1G  区别

型号 DDC124EU-7-F MUN5212DW1T1G
唯样编号 A36-DDC124EU-7-F-0 A36-MUN5212DW1T1G-1
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 达林顿晶体管
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极截止(最大值) - 500nA
电流 - 集电极截止(最大值) - 500nA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) - 60 @ 5mA,10V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) - 250mV @ 300µA,10mA
电压 - 集射极击穿(最大值) - 50V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 100mA
封装/外壳 SOT-363 SC-88
工作温度 -55℃~150℃ -
晶体管类型 PNP/PNP -
R1 22k Ohms -
R2 22k Ohms -
功率耗散Pd 200mW -
特征频率fT 250MHz -
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) - 22k
集电极-射极饱和电压 -300mV -
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) - 250mV @ 300µA,10mA
FET类型 - NPN
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) - 60 @ 5mA,10V
集电极_发射极击穿电压VCEO - 50V
集电极连续电流 -30mA -
集电极最大允许电流Ic - 100mA
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) - 22k
直流电流增益hFE 56 -
集电极-发射极最大电压VCEO -50V -
库存与单价
库存 4,461 3,692
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
290+ :  ¥0.1782
1,500+ :  ¥0.1553
3,000+ :  ¥0.1377
80+ :  ¥0.6292
200+ :  ¥0.4056
1,500+ :  ¥0.3523
3,000+ :  ¥0.312
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DDC124EU-7-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

SOT-363 200mW PNP/PNP -50V -30mA -300mV 56 250MHz

¥0.1782 

阶梯数 价格
290: ¥0.1782
1,500: ¥0.1553
3,000: ¥0.1377
4,461 当前型号
PUMD2,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMD2_SOT-363 300mW N+P-Channel 50V 100mA 150mV 60 230MHz,180MHz

¥0.2085 

阶梯数 价格
240: ¥0.2085
1,500: ¥0.1815
3,000: ¥0.1605
62,309 对比
PUMD2,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMD2_SOT-363 300mW N+P-Channel 50V 100mA 150mV 60 230MHz,180MHz

¥0.3031 

阶梯数 价格
10: ¥0.3031
100: ¥0.2245
1,000: ¥0.174
1,500: ¥0.1426
3,000: ¥0.1262
10,893 对比
MUN5212DW1T1G ON Semiconductor 达林顿晶体管

null

¥0.6292 

阶梯数 价格
80: ¥0.6292
200: ¥0.4056
1,500: ¥0.3523
3,000: ¥0.312
3,692 对比
UMH11NTN ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-363 150mW NPN 50V 100mA 300mV 30 250MHz

¥0.8254 

阶梯数 价格
190: ¥0.8254
500: ¥0.7359
915 对比
PUMD2,125 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMD2_SOT-363 300mW N+P-Channel 50V 100mA 150mV 60 230MHz,180MHz

¥0.5995 

阶梯数 价格
90: ¥0.5995
200: ¥0.273
791 对比

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