DDC114TU-7-F 与 MUN5212DW1T1G 区别
| 型号 | DDC114TU-7-F | MUN5212DW1T1G | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DDC114TU-7-F | A36-MUN5212DW1T1G-1 | ||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ON Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | BJT三极管 | 达林顿晶体管 | ||||||
| 描述 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 200mW | - | ||||||
| 电流-集电极截止（最大值） | - | 500nA | ||||||
| 电流 - 集电极截止（最大值） | - | 500nA | ||||||
| 特征频率fT | 250MHz | - | ||||||
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） | - | 60 @ 5mA,10V | ||||||
| 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | - | 250mV @ 300µA,10mA | ||||||
| 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆） | - | 22k | ||||||
| 集电极-射极饱和电压 | -300mV | - | ||||||
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | - | 250mV @ 300µA,10mA | ||||||
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | - | 50V | ||||||
| FET类型 | - | NPN | ||||||
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | - | 100mA | ||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | SC-88 | ||||||
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | - | 60 @ 5mA,10V | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||
| 集电极电流Ic | -100mA | - | ||||||
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | - | 50V | ||||||
| 集电极最大允许电流Ic | - | 100mA | ||||||
| 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） | - | 22k | ||||||
| 集电极-发射极Vceo | -50V | - | ||||||
| 直流电流增益hFE | 100 | - | ||||||
| 晶体管类型 | 2PNP | - | ||||||
| R1 | 10k Ohms | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 1,708 | 1 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DDC114TU-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW -50V -100mA 2PNP |
￥0.6305
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1,708 | 当前型号 | ||||||||||
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PUMH11,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V 100mA 2NPN |
暂无价格 | 26,913 | 对比 | ||||||||||
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UMH4NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V 100mA NPN |
￥0.2168
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7,716 | 对比 | ||||||||||
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UMH4NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V 100mA NPN |
￥1.2639
|
5,950 | 对比 | ||||||||||
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UMH4NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V 100mA NPN |
￥1.3989
|
100 | 对比 | ||||||||||
|
MUN5212DW1T1G | ON Semiconductor | 达林顿晶体管 | 暂无价格 | 1 | 对比 |
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