DDC114EH-7 与 RN4987FE,LF(CT 区别
| 型号 | DDC114EH-7 | RN4987FE,LF(CT |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DDC114EH-7 | A-RN4987FE,LF(CT |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Toshiba |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | BJT三极管 | 通用三极管 |
| 描述 | 双极晶体管 - 预偏置 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| R2 | 10k Ohms | - |
| 功率耗散Pd | 200mW | - |
| 功率 | - | 100mW |
| 特征频率fT | 250MHz | - |
| 电阻器-发射极(R2) | - | 47 千欧 |
| 不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) | - | 300mV @ 250uA,5mA |
| 集电极-射极饱和电压 | 300mV | - |
| 产品状态 | - | 在售 |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | - | 100mA |
| 电阻器-基极(R1) | - | 10 千欧 |
| 封装/外壳 | SOT-563 | ES6 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | - | 50V |
| 工作温度 | -55°C~150°C | - |
| 集电极电流Ic | 50mA | - |
| 频率-跃迁 | - | 250MHz,200MHz |
| 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) | - | 80 @ 10mA,5V |
| 电流-集电极截止(最大值) | - | 500nA |
| 集电极-发射极Vceo | 50V | - |
| 直流电流增益hFE | 30 | - |
| 晶体管类型 | 2NPN | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
| R1 | 10k Ohms | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 9 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DDC114EH-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 200mW 50V 50mA 2NPN |
暂无价格 | 9 | 当前型号 | ||||||
|
PEMD9,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-666 300mW 50V 100mA NPN+PNP |
￥0.8066
|
0 | 对比 | ||||||
|
|
PEMD9,315 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-666 300mW 50V 100mA NPN+PNP |
￥0.8066
|
0 | 对比 | ||||||
|
|
PEMD9,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-666 300mW 50V 100mA NPN+PNP |
￥0.5975
|
0 | 对比 | ||||||
|
|
PEMD9,315 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-666 300mW 50V 100mA NPN+PNP |
￥0.5975
|
0 | 对比 | ||||||
|
RN4987FE,LF(CT | Toshiba | 数据手册 | 通用三极管 |
ES6 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
