DDA114EH-7 与 EMB11T2R 区别
| 型号 | DDA114EH-7 | EMB11T2R | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-DDA114EH-7 | A33-EMB11T2R-1 | ||||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||||||
| 描述 | TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SOT563 | |||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-563 | SOT-563 | ||||||||||||||||
| R2 | 10k Ohms | 10K Ohms | ||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 150mW | 150mW | ||||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||||||
| 集电极电流Ic | 100mA | -100mA | ||||||||||||||||
| 特征频率fT | 250MHz | 250MHz | ||||||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 300mV | -300mV | ||||||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 30 | 30 | ||||||||||||||||
| 集电极-发射极Vceo | 50V | -50V | ||||||||||||||||
| 晶体管类型 | 2PNP | PNP | ||||||||||||||||
| R1 | 10k Ohms | 10K Ohms | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 2,989 | 8,000 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 28 - 35天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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DDA114EH-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V 100mA 2PNP |
￥0.546
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2,989 | 当前型号 | ||||||||||||
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EMB11T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW -50V -100mA PNP |
￥1.354
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15,960 | 对比 | ||||||||||||
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EMB11T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW -50V -100mA PNP |
￥1.1212
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8,000 | 对比 | ||||||||||||
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EMB11T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW -50V -100mA PNP |
￥1.1212
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1,665 | 对比 | ||||||||||||
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EMB11T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW -50V -100mA PNP |
暂无价格 | 200 | 对比 | ||||||||||||
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EMB11T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW -50V -100mA PNP |
￥3.7074
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100 | 对比 |
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