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DCX124EU-7-F  与  MUN5212DW1T1G  区别

型号 DCX124EU-7-F MUN5212DW1T1G
唯样编号 A36-DCX124EU-7-F A36-MUN5212DW1T1G-1
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 达林顿晶体管
描述 DCX124EU Series 50 V 30 mA NPN/PNP Surface Mount Dual Transistor - SOT-363-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极截止(最大值) - 500nA
电流 - 集电极截止(最大值) - 500nA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) - 60 @ 5mA,10V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) - 250mV @ 300µA,10mA
电压 - 集射极击穿(最大值) - 50V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 100mA
封装/外壳 SOT-363 SC-88
工作温度 -55°C~150°C -
晶体管类型 NPN/PNP -
R1 22k Ohms -
R2 22k Ohms -
功率耗散Pd 200mW -
特征频率fT 250MHz -
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) - 22k
集电极-射极饱和电压 300mV -
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) - 250mV @ 300µA,10mA
FET类型 - NPN
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) - 60 @ 5mA,10V
集电极_发射极击穿电压VCEO - 50V
集电极连续电流 100mA -
集电极最大允许电流Ic - 100mA
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) - 22k
直流电流增益hFE 56 -
集电极-发射极最大电压VCEO 50V -
库存与单价
库存 8,293 3,061
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
210+ :  ¥0.246
1,500+ :  ¥0.2148
3,000+ :  ¥0.1896
100+ :  ¥0.5109
200+ :  ¥0.3302
1,500+ :  ¥0.286
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DCX124EU-7-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

SOT-363 200mW NPN/PNP 50V 100mA 300mV 56 250MHz

¥0.246 

阶梯数 价格
210: ¥0.246
1,500: ¥0.2148
3,000: ¥0.1896
8,293 当前型号
PUMD2,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

SOT-363 300mW N+P-Channel 50V 100mA 150mV 60 230MHz,180MHz

暂无价格 12,815 对比
PUMD2,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

SOT-363 300mW N+P-Channel 50V 100mA 150mV 60 230MHz,180MHz

暂无价格 4,918 对比
MUN5212DW1T1G ON Semiconductor 达林顿晶体管

¥0.5109 

阶梯数 价格
100: ¥0.5109
200: ¥0.3302
1,500: ¥0.286
3,061 对比
PUMH1,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

SOT-363 300mW NPN/NPN 50V 100mA 150mV 60 230MHz

暂无价格 3,000 对比
UMD2NTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-363 150mW NPN/PNP 50V,-50V 100mA,-100mA 300mV,-300mV 56,56 250MHz,250MHz

¥1.8399 

阶梯数 价格
90: ¥1.8399
100: ¥1.7153
300: ¥1.0637
500: ¥0.9746
1,000: ¥0.8851
1,580 对比

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