DCX114YH-7 与 EMD9T2R 区别
| 型号 | DCX114YH-7 | EMD9T2R | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-DCX114YH-7 | A-EMD9T2R | ||||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||||||
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | EMD9 Series 50 V 100 mA Surface Mount Dual NPN/PNP Digital Transistor - EMT-6 | ||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-563 | SOT-563 | ||||||||||||||||
| R2 | 47k Ohms | 47K/47K Ohms | ||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 150mW | 150mW | ||||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||||||
| 特征频率fT | 250MHz | 250MHz,250MHz | ||||||||||||||||
| 集电极连续电流 | 100mA | 100mA,-100mA | ||||||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 300mV | 300mV,-300mV | ||||||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 68 | 68,68 | ||||||||||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | 50V | 50V,-50V | ||||||||||||||||
| 晶体管类型 | NPN+PNP | NPN+PNP | ||||||||||||||||
| R1 | 10k Ohms | 10K/10K Ohms | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 2,545 | 70 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 | ||||||||||||||||
| 单价(含税) |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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DCX114YH-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
300mV 68 SOT-563 150mW 50V 100mA 250MHz NPN+PNP |
¥0.6578
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2,545 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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EMD9T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA 300mV,-300mV 68,68 250MHz,250MHz NPN+PNP |
¥1.8399
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7,610 | 对比 | ||||||||||||||||
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EMD9T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA 300mV,-300mV 68,68 250MHz,250MHz NPN+PNP |
¥2.6713
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70 | 对比 | ||||||||||||||||
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PEMD10,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-666 300mW 50V 100mA 100mV 100 230MHz,180MHz NPN+PNP |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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PEMH10,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-666 300mW 50V 100mA 100mV 100 230MHz 2NPN |
暂无价格 | 0 | 对比 |