CSD18563Q5A 与 SIR664DP-T1-GE3 区别
| 型号 | CSD18563Q5A | SIR664DP-T1-GE3 | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-CSD18563Q5A | A3t-SIR664DP-T1-GE3 | ||||||||
| 制造商 | TI | Vishay | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 60 V 100A（Ta） 3.2W（Ta），116W（Tc） 8-VSONP（5x6） | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 6mΩ | ||||||||
| 上升时间 | - | 12ns | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 50W | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 26nC | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 1.3V | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 24ns | ||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 70S | ||||||||
| 封装/外壳 | DFN-8(5.1x5.7) | PowerPAK-SO-8 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 60A | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||
| 系列 | - | SIR | ||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||
| 下降时间 | - | 7ns | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 10ns | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 3,528 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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CSD18563Q5A | TI | 数据手册 | 未分类 |
￥4.323
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3,528 | 当前型号 | |||||||||||
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AON6246 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 6.4mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 60V 80A DFN5x6_8L 83W |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BSC076N06NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 50A 7.6mΩ@50A,10V ±20V 69W N-Channel -55°C~150°C TDSON-8-5 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BSC067N06LS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 50A 6.7mΩ 20V 69W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SIR664DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
60A 50W 6mΩ 60V 1.3V PowerPAK-SO-8 -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SIR664DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
60A 50W 6mΩ 60V 1.3V PowerPAK-SO-8 -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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