CSD18540Q5B 与 SIR662DP-T1-GE3 区别
| 型号 | CSD18540Q5B | SIR662DP-T1-GE3 | ||||
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| 唯样编号 | A36-CSD18540Q5B | A-SIR662DP-T1-GE3 | ||||
| 制造商 | TI | Vishay | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 6V 1A 8VSON | MOSFET | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 宽度 | - | 5.15 mm | ||||
| 零件号别名 | - | SIR662DP-GE3 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 2.7mΩ | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 6.25W(Ta),104W(Tc) | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN | SOIC-8 | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 60A | ||||
| 系列 | - | SIR | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA | ||||
| 长度 | - | 6.15 mm | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4365pF @ 30V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 96nC @ 10V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||
| 高度 | - | 1.04 mm | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 473 | 55 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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CSD18540Q5B | TI | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-PowerTDFN |
￥6.996
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473 | 当前型号 | ||||||
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FDMS86500L | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
25A(Ta),80A(Tc) ±20V 2.5W(Ta),104W(Tc) 2.5m Ohms@25A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerTDFN Power N-Channel 60V 25A 2.5 毫欧 @ 25A,10V -55°C~150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||
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SIR662DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 6.25W(Ta),104W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60A 2.7mΩ |
暂无价格 | 55 | 对比 | ||||||
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SIR662DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 6.25W(Ta),104W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60A 2.7mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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