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CSD18540Q5BT  与  FDMS86500L  区别

型号 CSD18540Q5BT FDMS86500L
唯样编号 A36-CSD18540Q5BT A-FDMS86500L
制造商 TI ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 表面贴装型 N 通道 60 V 100A(Ta) 3.1W(Ta),195W(Tc) 8-VSON-CLIP(5x6)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率 - 2.5W(Ta),104W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.5 毫欧 @ 25A,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W(Ta),104W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN Power
连续漏极电流Id - 25A
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 - PowerTrench®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 30V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 12530pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 165nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 12530pF @ 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 165nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
CSD18540Q5BT TI  数据手册 功率MOSFET

8-PowerTDFN

暂无价格 0 当前型号
FDMS86500L ON Semiconductor 功率MOSFET

25A(Ta),80A(Tc) ±20V 2.5W(Ta),104W(Tc) 2.5m Ohms@25A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerTDFN Power N-Channel 60V 25A 2.5 毫欧 @ 25A,10V -55°C ~ 150°C(TJ)

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FDMS86500L ON Semiconductor 功率MOSFET

25A(Ta),80A(Tc) ±20V 2.5W(Ta),104W(Tc) 2.5m Ohms@25A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerTDFN Power N-Channel 60V 25A 2.5 毫欧 @ 25A,10V -55°C ~ 150°C(TJ)

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