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CSD18537NQ5A  与  IRFH5406TRPBF  区别

型号 CSD18537NQ5A IRFH5406TRPBF
唯样编号 A36-CSD18537NQ5A A-IRFH5406TRPBF
制造商 TI Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 表面贴装型 N 通道 60 V 50A(Tc) 3.2W(Ta),75W(Tc) 8-VSONP(5x6) Single N-Channel 60 V 3.6 W 23 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 14.4mΩ@24A,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 3.6W(Ta),46W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PQFN(5x6)
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 11A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1256pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 35nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1256pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 35nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
CSD18537NQ5A TI  数据手册 未分类

暂无价格 0 当前型号
IRFH5406TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V -55°C~150°C(TJ) 3.6W(Ta),46W(Tc) 14.4mΩ@24A,10V N-Channel 60V 11A 8-PQFN(5x6)

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