CSD18532Q5B 与 BSC028N06NS 区别
| 型号 | CSD18532Q5B | BSC028N06NS |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-CSD18532Q5B | A-BSC028N06NS |
| 制造商 | TI | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 60 V 100A（Ta） 3.2W（Ta），156W（Tc） 8-VSONP（5x6） | 系列:OptiMOS™ |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | - | 83W |
| 宽度 | - | 5.15mm |
| 上升时间 | - | 38ns |
| 漏源极电压Vds | - | 60V |
| Qg-栅极电荷 | - | 37nC |
| 栅极电压Vgs | - | 10V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 50S |
| 典型关闭延迟时间 | - | 19ns |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | 8-VSONP(5x6) | PG-TDSON-8 |
| 连续漏极电流Id | - | 100A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | SingleQuadDrainTripleSource |
| 系列 | - | OptiMOS™ |
| 长度 | - | 5.9mm |
| 下降时间 | - | 8ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 11ns |
| 导通电阻Rds(On) | - | 2.8mΩ |
| 高度 | - | 1.27mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 2 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
CSD18532Q5B | TI | 数据手册 | 未分类 | 暂无价格 | 2 | 当前型号 | |
|
IRFH7085TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 156W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 3.2mΩ@75A,10V N-Channel 60V 23A PQFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BSC028N06NS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 100A 2.8mΩ 10V 83W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
BSC028N06LS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 100A 2.8mΩ@50A,10V ±20V 139W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8-1 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
BSC034N06NS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 100A 3.4mΩ@50A,10V ±20V 74W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
AON6242 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 60V 20V 85A 83W 3.6mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
