CSD17579Q5A 与 SISA18ADN-T1-GE3 区别
| 型号 | CSD17579Q5A | SISA18ADN-T1-GE3 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-CSD17579Q5A | A-SISA18ADN-T1-GE3 | ||||||||
| 制造商 | TI | Vishay | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 未分类 | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 30 V 25A（Ta） 3.1W（Ta），36W（Tc） 8-VSONP（5x6） | SiSA18ADN Series 30 V 38.3 A 7.5 mOhm N-Channel MOSFET - PowerPAK® 1212-8 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN | PowerPAK® 1212-8 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 38.3A(Tc) | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 7.5 mOhms @ 10A,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 3.2W(Ta),19.8W(Tc) | ||||||||
| Vgs(最大值) | - | +20V,-16V | ||||||||
| Vgs(th) | - | 2.4V @ 250uA | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 3,227 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
CSD17579Q5A | TI | 数据手册 | 未分类 |
￥2.75
|
3,227 | 当前型号 | |||||||||||
|
SISA18ADN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
38.3A(Tc) N-Channel 7.5 mOhms @ 10A,10V 3.2W(Ta),19.8W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
|
SISA18ADN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
38.3A(Tc) N-Channel 7.5 mOhms @ 10A,10V 3.2W(Ta),19.8W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
