CSD17577Q5A 与 RS1E200BNTB 区别
| 型号 | CSD17577Q5A | RS1E200BNTB | ||||||
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| 唯样编号 | A36-CSD17577Q5A | A33-RS1E200BNTB | ||||||
| 制造商 | TI | ROHM Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 30 V 60A（Ta） 3W（Ta），53W（Tc） 8-VSONP（5x6） | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 3.9mΩ@20A,10V | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 3W(Ta),25W(Tc) | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 20A(Ta) | ||||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 1mA | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3100pF @ 15V | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 59nC @ 10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 804 | 30 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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CSD17577Q5A | TI | 数据手册 | 未分类 |
￥2.233
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804 | 当前型号 | |||||||||||||||
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RS1E200BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 20A(Ta) ±20V 3W(Ta),25W(Tc) 3.9mΩ@20A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN |
￥6.1903
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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RS1E200BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 20A(Ta) ±20V 3W(Ta),25W(Tc) 3.9mΩ@20A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN |
￥6.1903
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30 | 对比 | ||||||||||||||
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BSC042N03LS G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V 93A 4.2mΩ 20V 2.5W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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AON6516 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V 20V 56A 25W 5mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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BSC0906NS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V 63A 4.5mΩ 10V 30W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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