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CSD17577Q5A  与  RS1E200BNTB  区别

型号 CSD17577Q5A RS1E200BNTB
唯样编号 A36-CSD17577Q5A A33-RS1E200BNTB-0
制造商 TI ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 表面贴装型 N 通道 30 V 60A(Ta) 3W(Ta),53W(Tc) 8-VSONP(5x6)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.9mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 3W(Ta),25W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id - 20A(Ta)
工作温度 - 150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3100pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 59nC @ 10V
库存与单价
库存 804 2,500
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
30+ :  ¥2.233
100+ :  ¥1.727
30+ :  ¥6.1903
50+ :  ¥4.2642
100+ :  ¥3.6222
300+ :  ¥3.191
500+ :  ¥3.1047
1,000+ :  ¥3.0377
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
CSD17577Q5A TI  数据手册 未分类

¥2.233 

阶梯数 价格
30: ¥2.233
100: ¥1.727
804 当前型号
RS1E200BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 20A(Ta) ±20V 3W(Ta),25W(Tc) 3.9mΩ@20A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN

¥6.1903 

阶梯数 价格
30: ¥6.1903
50: ¥4.2642
100: ¥3.6222
300: ¥3.191
500: ¥3.1047
1,000: ¥3.0377
2,500 对比
RS1E200BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 20A(Ta) ±20V 3W(Ta),25W(Tc) 3.9mΩ@20A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN

¥6.1903 

阶梯数 价格
30: ¥6.1903
30 对比
BSC042N03LS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V 93A 4.2mΩ 20V 2.5W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
AON6516 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V 20V 56A 25W 5mΩ@10V

暂无价格 0 对比
BSC0906NS Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V 63A 4.5mΩ 10V 30W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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