CSD17577Q5A 与 BSC0906NS 区别
| 型号 | CSD17577Q5A | BSC0906NS | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-CSD17577Q5A | A-BSC0906NS | ||||
| 制造商 | TI | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 30 V 60A（Ta） 3W（Ta），53W（Tc） 8-VSONP（5x6） | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 宽度 | - | 5.15mm | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 4.5mΩ | ||||
| 上升时间 | - | 6.8nS | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 30W | ||||
| Qg-栅极电荷 | - | 13nC | ||||
| 栅极电压Vgs | - | 10V | ||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 40S | ||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 12nS | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN | - | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 63A | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||
| 配置 | - | SingleQuadDrainTripleSource | ||||
| 长度 | - | 5.9mm | ||||
| 下降时间 | - | 6.4ns | ||||
| 典型接通延迟时间 | - | 8.4ns | ||||
| 高度 | - | 1.27mm | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 804 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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CSD17577Q5A | TI | 数据手册 | 未分类 |
￥2.233
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804 | 当前型号 | |||||||||||||||
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RS1E200BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 20A(Ta) ±20V 3W(Ta),25W(Tc) 3.9mΩ@20A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN |
￥6.1903
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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RS1E200BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 20A(Ta) ±20V 3W(Ta),25W(Tc) 3.9mΩ@20A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN |
￥6.1903
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30 | 对比 | ||||||||||||||
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BSC042N03LS G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V 93A 4.2mΩ 20V 2.5W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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AON6516 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V 20V 56A 25W 5mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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BSC0906NS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V 63A 4.5mΩ 10V 30W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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