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CSD17575Q3  与  RS1E281BNTB1  区别

型号 CSD17575Q3 RS1E281BNTB1
唯样编号 A36-CSD17575Q3 A33-RS1E281BNTB1-0
制造商 TI ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 3V 6A 8VSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-HSOP
连续漏极电流Id - 28A(Ta),80A(Tc)
工作温度 - 150℃(TJ)
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 3W(Ta)
Vgs(最大值) - ±20V
栅极电荷Qg - 94nC@10V
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 2.3mOhms@28A,10V
栅极电压Vgs - 2.5V@1mA
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 608 1,265
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
20+ :  ¥4.521
100+ :  ¥3.762
30+ :  ¥6.1424
50+ :  ¥4.4463
100+ :  ¥3.8713
500+ :  ¥3.4976
1,000+ :  ¥3.421
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
CSD17575Q3 TI  数据手册 通用MOSFET

8-PowerTDFN

¥4.521 

阶梯数 价格
20: ¥4.521
100: ¥3.762
608 当前型号
NTTFS4C02NTAG ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3)

暂无价格 7,171 对比
BSZ019N03LS Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ019N03LSATMA1_PG-TSDSON-8-FL N-Channel 69W 1.9mΩ@20A,10V -55°C~150°C ±20V 30V 149A

暂无价格 5,000 对比
NTTFS4C02NTAG ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3)

¥5.445 

阶梯数 价格
10: ¥5.445
100: ¥4.5441
750: ¥4.1283
1,500: ¥3.96
2,751 对比
RS1E281BNTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

28A(Ta),80A(Tc) N-Channel 2.5V@1mA 3W(Ta) 8-HSOP 150℃(TJ) 30V

¥6.1424 

阶梯数 价格
30: ¥6.1424
50: ¥4.4463
100: ¥3.8713
500: ¥3.4976
1,000: ¥3.421
1,265 对比
RS1E281BNTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

28A(Ta),80A(Tc) N-Channel 2.5V@1mA 3W(Ta) 8-HSOP 150℃(TJ) 30V

暂无价格 15 对比

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