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CSD17310Q5A  与  IRFH7936TRPBF  区别

型号 CSD17310Q5A IRFH7936TRPBF
唯样编号 A36-CSD17310Q5A A-IRFH7936TRPBF
制造商 TI Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd - 3.1W(Ta)
功率 3.1W(Ta) -
漏源极电压Vds 30V 30V
栅极电压Vgs +10V,-8V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN PQFN 5X6 8L
连续漏极电流Id 21A(Ta),100A(Tc) 20A(Ta),54A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 3V,8V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 250µA 2.35V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1560pF @ 15V 2360pF @ 15V
导通电阻Rds(On) 5.1 毫欧 @ 20A,8V 4.8mΩ@20A,10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11.6nC @ 4.5V 26nC @ 4.5V
库存与单价
库存 887 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.648
100+ :  ¥3.036
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
CSD17310Q5A TI  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 21A(Ta),100A(Tc) +10V,-8V 5.1 毫欧 @ 20A,8V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerTDFN

¥3.648 

阶梯数 价格
20: ¥3.648
100: ¥3.036
887 当前型号
RS1E180BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

HSOP8 (SINGLE

¥6.2488 

阶梯数 价格
100: ¥6.2488
500: ¥5.8276
1,000: ¥5.3361
2,500: ¥4.4234
2,600 对比
RS1E180BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

HSOP8 (SINGLE

暂无价格 80 对比
IRFH5304TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V -55°C~150°C(TJ) 3.6W(Ta),46W(Tc) 4.5mΩ@47A,10V N-Channel 30V 22A 8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
IRFH7936TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 20A(Ta),54A(Tc) ±20V 3.1W(Ta) 4.8mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PQFN 5X6 8L

暂无价格 0 对比
IRFH8325TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 21A(Ta),82A(Tc) ±20V 3.6W(Ta),54W(Tc) 5mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PQFN 5X6 8L

暂无价格 0 对比

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